文件名称:
模拟技术中的一种S波段宽带GaN放大器的设计
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文件大小: 292kb
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上传时间: 2020-10-23
详细说明：摘 要： 氮化镓功率管的宽带隙、高击穿电场等特点， 使其具有带宽宽， 高效特性等优点。为了研究GaN 功率放大器的特点， 使用了Ag ilent ADS 等仿真软件， 进行电路仿真设计， 设计制作了一种S 波段宽带GaN 功率放大器。详述了电路仿真过程， 并对设计的宽带GaN 功率放大器进行测试， 通过测试的实验数据表明， 设计的宽带放大器在S 波段宽带内可实现功率超过44 dBm 的功率输出， 验证了GaN 功率放大器具有宽带的特点。
新一代半导体功率器件主要有SiC 场效应晶体管和GaN 高电子迁移率晶体管。有别于第一代的Si 双极型功率晶体管和第二代GaAs 场效晶体管， 新一代S
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