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文件名称: 模拟技术中的一种SRAM误操作进行观测并模拟的方法
  所属分类: 其它
  开发工具:
  文件大小: 349kb
  下载次数: 0
  上传时间: 2020-10-22
  提 供 者: weixin_********
 详细说明:瑞萨电子开发出了对起因于随机电报噪声(RTN:Random Telegraph Noise)的SRAM误操作进行观测并实施模拟的方法。SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM(Dynamic Random Access Memory)每隔一段时间,要刷新充电一次,否则内部的数据即会消失,因此SRAM具有较高的性能,但是SRAM也有它的缺点,即它的集成度较低,相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积,但是SRAM却需要很大的体积,且功耗较大。所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积。   RTN是一种因晶体管载流子被栅极绝缘膜等中的陷阱捕获或释放,而使晶体管阈值电压随时间随
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