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电源技术中的分析变流器核心器件MOSFET与IGB性能
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上传时间: 2020-10-22
详细说明：有关变流器的核心器件－MOSFET和IGBT。MOSFET和IGBT是当前变流器中应用最广泛，最重要的两类核心器件。MOSFET主要应用在低压和中压（中小功率），IGBT主要应用在高压和中压（大功率）领域。
首先来说MOSFET，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。
要使增强型N沟道MOSFET工作，要在G、S之
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