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电源技术中的500 V／8 A高压、大电流VDMOSFET的设计与研制
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上传时间: 2020-10-22
详细说明：O 引言
随着半导体生产制造工艺的不断改进，器件模拟和工艺模拟的精度与实际工艺流程的吻合性将越来越好，使产品的模拟结果更具有实用性、可靠性。随着现代工艺水平的提高与新技术的开发完善，功率VDMOSFET设计研制朝着高压、高频、大电流方向发展，成为目前新型电力电子器件研究的重点。
本文设计了漏源击穿电压为500 V，通态电流为8 A，导通电阻小于O.85 Ω的功率VDMOSFET器件，并通过工艺仿真软件TSUPREM-4和器件仿真软件MEDICI进行联合优化仿真，得到具有一定设计余量的参数值。
1 VDMOSFET工作原理
VDMOSFET是电压控制器件，在栅极施加一定的电压
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