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电源技术中的解析IGBT的一种驱动和过流保护电路的设计
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上传时间: 2020-10-22
详细说明：一 引言
绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Tramistor，IGBT）是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点因此，它既具有MOSFET的工作速度快、开关频率高、输入阻抗高、驱动电路简单、热温度性好的优点，又包含了GTR的载流量大、阻断电压高等多项优点。是取代GTR的理想开关器件。IGBT目前被广泛使用的具有自关断能力的器件，广泛应用于各类固态电源中。本文主要研究了IGBT的驱动和短路
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