文件名称:
EDA/PLD中的3D IC的EDA工具之路
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文件大小: 373kb
下载次数: 0
上传时间: 2020-10-21
详细说明：最近提出了有关3D IC的三个问题：什么是3D IC，它们是否实际可行，以及它们有什么不同？这些问题的答案可能多种多样，但半导体业确实正在逐渐地为传统二维摩尔定律标尺增加一个垂直维度（即堆叠）。
减少IC之间互连的长度可能会给移动系统应用的性能、功率和封装尺寸带来一种巨大的飞跃，主要动力就是3D IC。将一只移动处理器芯片与独立的存储芯片结合到一起，这是一种自然发展出来的3D结构。例如，三星电子公司最近推出了一款3D IC，该公司将一只存储芯片堆叠在硅片芯上，两者间采用了（垂直的）TSV（硅通孔）金属化孔，在芯片的顶部和底部都建立了连接（图1）。TSV技术能够实现一种广泛的I/O存储接口
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