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电源技术中的基于耗尽型工艺的锂电池充电保护芯片设计
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文件大小: 367kb
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上传时间: 2020-10-21
详细说明：摘要： 提出了一种基于耗尽型工艺的单节锂离子电池充电保护芯片设计。阐述了此芯片的设计思想及系统结构， 并对芯片关键电路的独特设计方法及原理进行了详细分析， 特别是基准电路和偏置电路，利用耗尽型工艺使电路具有非常低的电源启动电压和功耗。在Hspice 中仿真了采用0.6 μm 的n 阱互补金属氧化物半导体（ CMOS） 工艺制作全局芯片的测试结果。验证了此芯片具有过电压检测、过电流检测、0 V 电池充电禁止等功能， 可用于单节锂离子电池充电的一级保护。
0 引言
便携式电子产品正向轻量化、超小型化发展，为此锂离子电池得到广泛应用，比较常见的正极材料为钴酸锂和锰酸锂的锂离子电池，还有磷
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