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文件名称: 电源技术中的电源设计小贴士31:同步降压 MOSFET电阻比的正确选择
  所属分类: 其它
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  上传时间: 2020-10-21
  提 供 者: weixin_********
 详细说明:在这篇《电源设计小贴士》中,我们将研究在同步降压功率级中如何对传导功耗进行折中处理,而其与占空比和 FET 电阻比有关。进行这种折中处理可得到一个用于 FET 选择的非常有用的起始点。通常,作为设计过程的一个组成部分,您会有一套包括了输入电压范围和期望输出电压的规范,并且需要选择一些 FET.另外,如果您是一名 IC 设计人员,则您还会有一定的预算,其规定了 FET 成本或者封装尺寸。这两种输入会帮助您选择总 MOSFET 芯片面积。之后,这些输入可用于对各个 FET 面积进行效率方面的优化。 图 1 传导损耗与 FET 电阻比和占空比相关   首先,FET 电阻与其面积成反比例关系。
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