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文件名称: 电源技术中的如何处理高di/dt负载瞬态(下)
  所属分类: 其它
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  文件大小: 199kb
  下载次数: 0
  上传时间: 2020-10-21
  提 供 者: weixin_********
 详细说明:在《如何处理高di/dt负载瞬态(上)》中,我们讨论了电流快速变化时一些负载的电容旁路要求。我们发现必须让低等效串联电感(ESL)电容器靠近负载,因为不到0.5 nH便可产生不可接受的电压剧增。实际上,要达到这种低电感,要求在处理器封装中放置多个旁路电容器和多个互连针脚。本文中,我们将讨论达到电源输出实际di/dt要求所需的旁路电容大小。   为了讨论方便,图1显示了电源系统的P-SPICE模型。本图由补偿电路电源、调制器(G1)和输出电容器组成。内部还包括互连电感、旁路电容负载模型、DC负载和步进负载。 图1简易P-SPICE模型辅助系统设计   首先,你需要决定是将电源和负载看作
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