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电源技术中的电源设计小贴士42：可替代集成MOSFET的分立器件
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上传时间: 2020-10-21
详细说明：在电源设计中，工程师通常会面临控制IC驱动电流不足的问题，或者面临由于栅极驱动损耗导致控制IC功耗过大的问题。为缓解这一问题，工程师通常会采用外部驱动器。半导体厂商（包括TI在内）拥有现成的MOSFET集成电路驱动器解决方案，但这通常不是成本最低的解决方案。通常会选择价值几美分的分立器件。
图1 简单的缓冲器可驱动2Amps以上的电流。
图1中的示意图显示了一个NPN/PNP发射跟随器对，其可用于缓冲控制IC的输出。这可能会增加控制器的驱动能力并将驱动损耗转移至外部组件。许多人都认为该特殊电路无法提供足够的驱动电流。
如图2 hfe曲线所示，通常厂商都不会为这些低电流器件提供
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