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基础电子中的生荣电子：半导体器件损坏的特点和检测方法
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上传时间: 2020-10-20
详细说明：半导体器件损坏的特点 二、三极管的损坏一般是PN结击穿或开路，其中以击穿短路居多。此外还有两种损坏表现：一是热稳定性变差，表现为开机时正常，工作一段时间后，发生软击穿;另一种是PN结的特性变差。（更多半导体相关的产品信息，请点击http://hyg.dzsc.com/model.asp）
半导体器件的检测方法 用万用表R×1k测，各PN结均正常，但上机后不能正常工作，如果用R×10或R×1低量程档测，就会发现其PN结正向阻值比正常值大。测量二、三极管可以用指针万用表在路测量，较准确的方法是：将万用表置R×10或R×1档(一般用R×10档，不明显时再用R×1档)在路测二、三极管的PN结
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