文件名称:
集成电路中的大规模集成电路抗辐射性能无损筛选方法（二）
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上传时间: 2020-10-20
详细说明：相关资料：
大规模集成电路抗辐射性能无损筛选方法（一）
2 实验结果分析及讨论
2.1 实验结果分析
通过计算各个参数与辐照性能参数的单相关系数得到两种应力实验前后的辐照信息参数，如表1所示。
表1 两种应力实验条件下选择的辐照信息参数
表中，A,B两组数据分别为应力实验前后选择的辐照信息参数。分别利用表1中四组辐照信息参数与辐照后的辐照性能参数线性回归拟合，得到以下四个方程
Y1 =-25.873 9+0.282 9 X1+0.394 3 X2-0.223 3 X3-0.171 7 X4-0.098 X5 （1）
Y2
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