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元器件应用中的英飞凌推出采用突破性超结技术的CoolMOS C7
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上传时间: 2020-10-20
详细说明：英飞凌科技股份公司进一步壮大其高压产品组合，推出采用全新650V超结MOSFET技术的CoolMOSTM C7.全新的C7产品家族针对所有标准封装实现了一流的通态电阻RDS（on）。另外，得益于低开关损耗，还可在任何负载条件下实现能效改进。C7适用于连续导通模式功率因数校正（CCM PFC）、双管正激（TTF）和太阳能升压拓扑等硬开关拓扑，典型应用包括太阳能、服务器、电信设备和UPS（不间断电源）。650V击穿电压还使C7适用于需要额外安全裕度的应用。
“C7延续了高品质超结CoolMOS技术12年创新发展之路，进一步巩固了英飞凌在高端功率转换领域的领导地位。”英飞凌高压功率转换产品负责
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