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开关技术中的安森美半导体的IGBT实现高能效的高性能开关应用
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上传时间: 2020-10-20
详细说明：摘要：今天，不论是用在工业领域还是民用产品的开关应用，绝缘栅双极晶体管（IGBT）都可以提供有效的解决方案，以实现最终产品的高能效和高性能。本文主要介绍了利用安森美半导体IGBT实现高能效的高性能开关应用。
在节能至上的市场上，电子设计人员首选可以实现高能效的器件，而且要针对不同应用选择合适的IGBT.推动高能效创新的安森美半导体提供丰富的分立式IGBT方案，广泛用于电磁炉、不间断电源（UPS ）、太阳能逆变器和逆变电焊机等领域。
1 IGBT技术概述
IGBT有强耐能量冲击能力和强耐短路电流能力 （5至10微秒）。现有IGBT包括沟道非穿通型 （NPT）、沟道场截止型 （
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