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基础电子中的衬底温度对反应溅射ZnO:Al导电薄膜性能的影响
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上传时间: 2020-10-20
详细说明：摘要：衬底温度在反应溅射制备ZnO:Al薄膜过程中是一个重要的工艺参数，直接决定这薄膜的性能。本文用中频脉冲磁控溅射方法，采用锌铝合金（Al的含量为2%）靶，在衬底温度170℃，工作压力2.5mTorr,氧氩比3/18的条件下，制备了ZnO:Al薄膜，利用X射线衍射仪对薄膜的结构进行了分析，利用分光光度计和四探针法测量了薄膜的光学和电学性能，研究了制备薄膜时不同的衬底温度对薄膜的结构、电学、光学性能的影响。结果表明，随着衬底温度的升高，薄膜的电阻率先下降后上升，而可见光范围平均透过率在85%以上，当衬底温度为170℃，工作压力2.5mTorr,氧氩比3/18时，薄膜电阻率最低为2.16×10-
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