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基于CPLD技术的MOSFET器件保护电路的设计方案
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文件大小: 440kb
下载次数: 0
上传时间: 2020-10-20
详细说明：导读：介绍了一种基于CPLD技术的MOSFET器件保护电路的设计与实现。该电路设计方案具有抗干扰能力强、响应速度快和通用性好的优点。通过试验验证了该方案的正确性和可行性。
1.概述
功率MOSFET最初是从MOS集成电路发展起来的，它通过增加源漏横向距离提高器件耐压，从而实现集成电路中高压驱动[1].功率MOSFET已大量应用于电力电子，消费电子、汽车电子和水声工程等领域。虽然功率MOSFET具有效率高、结构简单、便于数字化控制等优点，但是其采用的电力电子器件对过压过流的承受能力较差，容易烧毁，因此保护电路的设计非常重要，并且要求保护响应时间做到微秒级[2].功率MOSFET保护主
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