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工业电子中的ST HB系列IGBT有效提升能效、安全性和可靠性
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上传时间: 2020-10-20
详细说明：导读：意法半导体的新HB系列绝缘栅双极晶体管拥有比竞争对手的高频产品低达40%的关机能耗，同时可降低达30%的导通损耗。
HB系列利用意法半导体的沟栅式场截止型高速晶体管制造工艺，集电极关断尾电流极低，饱和电压为1.6V ,从而最大限度降低了开关和导通时的能耗。此外，这项技术具有良好的可控性，参数分布窗口十分紧密，从而可提高设计再用性，简化系统设计。
意法半导体的HB系列IGBT可提升目标应用的能效，例如太阳能逆变器、电磁炉、电焊机、不间断电源、功率因数校正器和高频功率转换器。650V的宽额定工作电压确保环境温度在-40℃时击穿电压至少600V,使其特别适用于高寒地区的太阳能逆变器
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