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文件名称: LED照明中的LED驱动芯片五大调试技术
  所属分类: 其它
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  文件大小: 66kb
  下载次数: 0
  上传时间: 2020-10-19
  提 供 者: weixin_********
 详细说明:对于LED驱动芯片的的调试技术主要是以下几个方面。   1、芯片发热   这主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA,300V的电压加在芯片上面,芯片的功耗为0.6W,当然会引起芯片的发热。驱动芯片的最大电流来自于驱动功率mos管的消耗,简单的计算公式为I=cvf(考虑充电的电阻效益,实际I=2cvf),其中c为功率MOS管的cgs电容,v为功率管导通时的gate电压,所以为了降低芯片的功耗,必须想办法降低c、v和f.如果c、v和f不能改变,那么请想办法将芯片的功耗分到芯片外的器件,注意不要引入额外的功耗。再简单一点,就是考虑更好的散热吧。   2、功率管发热
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