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IR针对锂离子电池保护推出全新功率MOSFET
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上传时间: 2020-10-19
详细说明：全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司 （International Rectifier,简称IR） 近日针对锂离子电池保护应用推出配备IR最新低压MOSFET硅技术的一系列器件，包括IRL6297SD双N通道DirectFET MOSFET。
全新功率MOSFET具有极低的导通电阻，可大幅减少导通损耗。产品可作为N通道及P通道配置的20V和30V器件，最高栅极驱动从12 Vgs起，非常适合包含了两个串联电池的电池保护电路。IRL6297SD在精密且能高效散热的小罐式DirectFET封装内提供两个采用共漏极配置的20V N通道MOSFET。
IR亚太区销售副总裁潘大
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