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工业电子中的运用互补性显微术在终极尺度上三维重构并分析同一个纳米级样品
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文件大小: 212kb
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上传时间: 2020-10-19
详细说明：运用两种不同的纳米尺度或原子尺度测量分析方法分析同一个样品，对完全掌握一种材料或产品的属性至关重要，这种优势互补的分析方法特别适用于测定MOSFET、FINFET等新一代纳米级晶体管的掺杂分布情况。本文综合电子断层扫描技术(ET)与原子探针层析技术(APT)两种表征方法，研究纳米级晶体管中硼原子空间分布特征。本文采用电子断层扫描技术，结合原子级分辨率离子弹道仿真实验，以修正原子探针层析技术的三维重构图像失真。APT三维重构技术能够对样品器件进行详细的化学分析。 在超大规模集成电路上的纳米级晶体管中，特别是外观尺寸不断缩小的互补性金属氧化物半导体(CMOS)器件，掺杂物质的原子空间分布是一大难
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