您好,欢迎光临本网站![请登录][注册会员]  
文件名称: 元器件应用中的怎样用最小的代价降低MOS的失效率?
  所属分类: 其它
  开发工具:
  文件大小: 91kb
  下载次数: 0
  上传时间: 2020-10-19
  提 供 者: weixin_********
 详细说明:【前言】  在高端MOS的栅极驱动电路中,自举电路因技术简单、成本低廉得到了广泛的应用。然而在实际应用中,MOS常莫名其妙的失效,有时还伴随着驱动IC的损坏。如何破?一个合适的电阻就可搞定问题。  【问题分析】   上图为典型的半桥自举驱动电路,由于寄生电感的存在,在高端MOS关闭后,低端MOS的体二极管钳位之前,寄生电感通过低端二极管进行续流,导致VS端产生负压,且负压的大小与寄生电感与成正比关系。该负压会把驱动的电位拉到负电位,导致驱动电路异常,还可能让自举电容过充电导致驱动电路或者栅极损坏。由于IC的驱动端通常都有寄生二极管,当瞬间的大电流流过驱动口的二极管时,很可能引发寄生SCR
(系统自动生成,下载前可以参看下载内容)

下载文件列表

相关说明

  • 本站资源为会员上传分享交流与学习,如有侵犯您的权益,请联系我们删除.
  • 本站是交换下载平台,提供交流渠道,下载内容来自于网络,除下载问题外,其它问题请自行百度
  • 本站已设置防盗链,请勿用迅雷、QQ旋风等多线程下载软件下载资源,下载后用WinRAR最新版进行解压.
  • 如果您发现内容无法下载,请稍后再次尝试;或者到消费记录里找到下载记录反馈给我们.
  • 下载后发现下载的内容跟说明不相乎,请到消费记录里找到下载记录反馈给我们,经确认后退回积分.
  • 如下载前有疑问,可以通过点击"提供者"的名字,查看对方的联系方式,联系对方咨询.
 输入关键字,在本站1000多万海量源码库中尽情搜索: