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基础电子中的基于积累型MOS变容管的射频压控振荡器设计
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上传时间: 2020-10-19
详细说明:引言 随着移动通信技术的发展,射频(RF)电路的研究引起了广泛的重视。采用标准CMOS工艺实现压控振荡器(VCO),是实现RF CMOS集成收发机的关键。过去的VCO电路大多采用反向偏压的变容二极管作为压控器件,然而在用实际工艺实现电路时,会发现变容二极管的品质因数通常都很小,这将影响到电路的性能。于是,人们便尝试采用其它可以用CMOS工艺实现的器件来代替一般的变容二极管,MOS变容管便应运而生了。 MOS变容管 将MOS晶体管的漏,源和衬底短接便可成为一个简单的MOS电容,其电容值随栅极与衬底之间的电压VBG变化而变化。在PMOS电容中,反型载流子沟道在VBG大于阈值电压绝对值时建立,
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