文件名称:
隔离驱动IGBT和PowerMOSFET等功率器件所需要的一些技巧
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文件大小: 79kb
下载次数: 0
上传时间: 2020-10-18
详细说明：功率器件，如IGBT，PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等等，都需要有充分的保护，以避免如欠压，缺失饱和，米勒效应，过载，短路等条件所造成的损害。本在线研讨会介绍了为何光耦栅极驱动器能被广泛的接受和使用，这不仅是因其所具有的高输出电流驱动能力，及开关速度快等长处之外，更重要的，它也具有保护功率器件的所需功能。
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