文件名称:
一种具有变漂移区宽度的新型SOI横向高压器件
开发工具:
文件大小: 66kb
下载次数: 0
上传时间: 2020-10-17
详细说明：本文提出了一种具有变漂移区宽度结构的新型的 SOI 横向高压器件，该结构通过漂移区内的侧壁氧化层改变漂移区的宽度。借助三维器件仿真软件 davinci 对其耐压特性进行了深入分析。结果表明，变漂移区宽度结构不但可以使击穿电压提高 31.5%，而且可以使漂移区掺杂浓度提高 83%。从而降低漂移区电阻。同时，变漂移区的侧壁氧化层可以通过介质隔离技术得到，无需多余的掩膜版。因此具有工艺简单，工艺成本低等优点。
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