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上传时间: 2020-10-17
详细说明：基于UMC 0.25 μm BCD 工艺，在传统带隙基准结构的基础上，设计了一种具有低功耗、高精度的基准，同时利用NMOS管工作在亚阈值区域时漏电流和栅极电压的指数特性，对基准温度特性曲线进行二阶补偿。仿真结果表明，电源电压5 V时，静态电流功耗为3.16 μA；电源电压2.5 V~5.5 V，基准电压变化53 μV；温度在-40 ℃~130 ℃内，电路的温度系数为 0.86×10-6/℃；三种工艺角下，低频时电路电源抑制比都小于-95 dB。
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