文件名称:
模拟技术中的MOSFET驱动器介绍及功耗计算
开发工具:
文件大小: 303kb
下载次数: 0
上传时间: 2020-11-06
详细说明：我们先来看看MOS关模型：
Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。
Cgd：是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠，第二是
耗尽区电容（非线性）。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。
Cds：也是非线性的电容，它是体二极管的结电容，也是和电压相关的。
这些电容都是由Spec上面的Crss，Ciss和Coss决定的。
由于Cgd同时在输入和输出，因此等效值由于 Vds电压要比原来大很多，这个称为米勒效应。
由于SPEC上面的值按照特定的条件下测试得到的，我们在实际应用的时候需
(系统自动生成,下载前可以参看下载内容)
下载文件列表
相关说明
- 本站资源为会员上传分享交流与学习,如有侵犯您的权益,请联系我们删除.
- 本站是交换下载平台，提供交流渠道，下载内容来自于网络，除下载问题外，其它问题请自行百度。
- 本站已设置防盗链，请勿用迅雷、QQ旋风等多线程下载软件下载资源，下载后用WinRAR最新版进行解压.
- 如果您发现内容无法下载，请稍后再次尝试；或者到消费记录里找到下载记录反馈给我们.
- 下载后发现下载的内容跟说明不相乎，请到消费记录里找到下载记录反馈给我们，经确认后退回积分.
- 如下载前有疑问，可以通过点击"提供者"的名字，查看对方的联系方式，联系对方咨询.
