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上传时间: 2020-11-04
详细说明：相变化内存(Phase Change Memory，PCM)是一项全新的内存技术，目前有多家公司在从事该技术的研发活动。这项技术集当今挥发性内存和非挥发性内存两大技术之长，为系统工程师提供极具吸引力的技术特性和功能。工程师无需再费时解决过去几年必须设法克服的所谓内存技术的奇怪特性。因此，当采用NOR或NAND闪存设计系统时，工程师必须掌握许多变通技巧。
由于相变化内存简单易用，设计人员可以把以前的奇怪东西全部忘掉。相变化内存还有助于大幅缩短产品上市时间，提高系统效能和编码容量，降低产品成本。应用设计通常需要RAM内存芯片以补偿闪存的慢速且错综复杂的程序设计协议。在改用相变化内存后，还能降
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