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基于位线循环充电SRAM模式的自定时电路设计
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文件大小: 159kb
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上传时间: 2020-11-04
详细说明：近些年来，随着集成电路制造工艺和制造技术的发展，SRAM存储芯片在整个SoC芯片面积中所占比例越来越大，而SRAM的功耗也成为整个SoC芯片的主要部分。同时，CPU的工作频率逐年提高，从1999年的1．2 GHz增长到2010年的3．4 GHz。而且，这一趋势还在进一步加强。CPU工作频率的增加对SRAM的工作频率提出很高的要求。
针对以上，提出位线循环充电(CRSRAM)SRAM结构，它主要是通过降低位线电压的摆幅来降低功耗。采用双模式自定时电路(DMST)则主要是根据读写周期的不同来产生不同的时序信号，从而提高读写速度。基于不同SRAM存储阵列结构，虽然这种技术能有效地改善SRAM的
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