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模拟技术中的瑞萨电子高压MOS在进行产品开发时的注意要点
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上传时间: 2020-11-04
详细说明：本文主要介绍瑞萨电子（又称：Renesas注1)高压MOS在客户电源等产品开发时的选型以及特性的说明，为客户的产品开发提供参考性的设计意见。
MOSFET以其电压控制、开关频率高、开关速度快等优点，广泛应用于电源等产品中。Renesas高压MOS涵盖漏源电压（VDSS）等级600V、800V、900V、1400V，具有极低的RDS(ON)和丰富的封装系列，应用十分广泛。
MOSFET最重要的两个参数是漏源电压（VDSS）和导通电阻RDS(ON)。电流值和最大耗散功率值必须仔细观察，因为它们只有当背板温度到25OC时才能达到，切换时间仅在满足数据说明书中所描述的特定条件下才适用。
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