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文件名称: PCB技术中的元器件堆叠封装与组装的结构
  所属分类: 其它
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  上传时间: 2020-11-13
  提 供 者: weixin_********
 详细说明:元器件内芯片的堆叠大部分是采用金线键合的方式(Wire Bonding),堆叠层数可以从2~8层)。 STMICRO声称,诲今厚度到40μm的芯片可以从2个堆叠到8个(SRAM,Hash和DRAM),40μm的芯片堆叠8个总 厚度为1.6 mm,堆叠两个厚度为0.8 mm。如图1所示。 图1 元器件内芯片的堆叠   堆叠元器件(Amkor PoP)典型结构如图2所示:   ·底部PSvfBGA(Package Stackable very thin fine pitch BGA);   ·顶部Stacked CSP(FBGA, Fine pitch BGA)。 图2 堆叠元器件实行结
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