文件名称:
元器件应用中的MOS 集成电路防静电预防方法
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上传时间: 2020-11-11
详细说明：以金属-氧化物-半导体（MOS）场效应晶体管为主要元件构成的集成电路简称MOSIC 。1964年研究出绝缘栅场效应晶体管。直到1968年解决了MOS器件的稳定性，MOSIC得到迅速发展。与双极型集成电路相比，MOSIC具有以下优点：①制造结构简单，隔离方便。②电路尺寸小、功耗低适于高密度集成。③MOS管为双向器件，设计灵活性高。④具有动态工作独特的能力。⑤温度特性好。其缺点是速度较低、驱动能力较弱。一般认为MOS集成电路功耗低、集成度高，宜用作数字集成电路；双极型集成电路则适用作高速数字和模拟电路。
所有 MOS 集成电路 （包括 P 沟道 MOS， N 沟道 MOS， 互补 MOS -
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