文件名称:
富士通针对PA开发CMOS逻辑高压电芯片
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文件大小: 48kb
下载次数: 0
上传时间: 2020-11-09
详细说明：富士通微电子(Fujitsu Microelectronics)发表CMOS逻辑高电压电晶体的最新开发进展，此款电晶体具备高击穿电压的特性，适合支持无线装置所使用的功率放大器(PA)。
富士通所开发的这款45纳米CMOS电晶体，能支援10V功率输出，让电晶体能因应各种高输出规格，满足WiMAX与其他高频应用*率放大器的规格需求。此外，该新技术并实现了在同一晶粒(die)中藉由CMOS逻辑控制电路，达到单芯片整合的目标，可进而开发出高效能、低成本的功率放大器。
富士通开发的新电晶体结构具有多项关键特性。电晶体的汲极周围有一个「轻微掺杂汲极」(lightly doped drain；L
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