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恒忆推出新相变存储器大幅提升写入性能和耐写次数
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上传时间: 2020-11-07
详细说明：恒忆（Numonyx）作为相变存储技术（PCM）的创新者，宣布正式推出全新系列相变存储器。该系列产品采用被称为相变存储(PCM)的新一代存储技术，具有更高的写入性能、耐写次数和设计简易性，适用于固线和无线通信设备、消费电子、PC和其他嵌入式应用设备。目前该产品已经量产，并向市场供货。
这种新的嵌入式存储器融闪存、RAM和EEPROM三大存储器的优点于一身，一颗存储器芯片即可实现很多新功能。今天，新产品发布采用了新品牌Numonyx Omneo PCM，其写入速度有望达到现有闪存的300倍，耐写次数达到10倍*。
“自闪存于1988年问世至今，业内还从未见过一个如此崭新的高密
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