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三星电子推出更高性能20纳米级NAND闪存存储器
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上传时间: 2020-11-07
详细说明：近日，三星电子(SAMSUNG)有限公司宣布推出业界首个20纳米级(nm)NAND芯片，用于安全数字(SD)存储器卡和嵌入式存储解决方案中。32Gb MLC NAND产品采用尖端技术，扩展三星电子公司的存储器卡解决方案,用于智能手机、高端IT应用和高性能存储器卡。
与30纳米级MLC NAND相比，三星电子的20纳米级MLC NAND提高50%的生产水平。基于20纳米级、8GB和更高密度、SD卡的写入性能比30纳米级 NAND提高30%，器件提供10级额定速度(读取速度为20MB/s，写入速度为10MB/s)。通过采用尖端工艺、设计和控制器技术，与30纳米级NAND相比，三星电子还获得安
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