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元器件应用中的对浪涌电流导致的MOSFET发热的仿真分析
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文件大小: 380kb
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上传时间: 2020-11-07
详细说明：在大多数应用中，虽然机电继电器在历史上一直是主要的负载开关，但随着技术进步，MOSFET的导通电阻已近于理想开关(RDS(ON)=0Ω)，所以，最近几年MOSFET在蚕食继电器的领地。但MOSFET的导通电阻仍大于相应的继电器导通电阻。这样，当采用MOSFET进行设计时，就要将热问题考虑在内。
当驱动控制的是容性负载时，热因素就变得更加重要。控制容性负载时产生的浪涌电流可变得足够大(约是稳态电流的10倍)从而导致MOSFET的结温(度)升超过其最大允许值。这样，当要在一系列电气和环境条件下预测结温度时，模拟就是个非常有用的方法。
预测MOSFET结温度有几种方法，但大多依赖一个固定
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