文件名称:
元器件应用中的选择高压场效应管实现节能
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文件大小: 102kb
下载次数: 0
上传时间: 2020-11-07
详细说明：高压金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）技术在过去几年中经历了很大的变化，这为电源工程师提供了许多选择。了解不同MOSFET器件的细微差别及不同切换电路的应力，能够帮助工程师避免许多问题，并实现效率最大化。经验证明，采用新型的MOSFET器件取代旧式MOSFET，除简单地导通电阻上的差异之外，更重要的是，还能实现更高的电流强度与更快的切换速度以及其他优越性能。
技术
高压MOSFET器件采用两种基本工艺：一种是比较常规的平面工艺；另一种是新的电荷平衡工艺。平面工艺非常稳定和耐用，但是在有源区与击穿电压一定时，导通电阻远远高于超级FET 或超级MOS的电荷平衡工艺。
对
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