文件名称:
采用Magma Finesim的NAND闪存仿真战略
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文件大小: 413kb
下载次数: 0
上传时间: 2020-11-07
详细说明：NAND闪存是一种高密度非易失性存储器，基于电压调制原理而操作。随着技术开发和工艺改进，MLC NAND(2 bit/cell NAND)的架构正变得日益复杂化。今天，单个8Gb密度SLC NAND闪存芯片的MOSFET数量就超过70万，这还未包括所有阵列器件在内；MLC约是SLC的1.5-2倍。图1显示了NAND功能块基本结构图，它通常是由I/O、低压(LV)系统、高压(LV)系统、控制逻辑和阵列5大部分组成。
I/O是芯片接口，包括高速I/O接口电路和ESD。
低压（LV）系统将提供内部电源供应和各个区域的功耗管理。同时它还可产生芯片中其它电路的电压和电流基准。
高压（H
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