文件名称:
元器件应用中的MOS 集成电路使用操作准则
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文件大小: 75kb
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上传时间: 2020-11-18
详细说明：所有 ＭＯＳ 集成电路 （包括 Ｐ 沟道 ＭＯＳ， Ｎ 沟道 ＭＯＳ， 互补 ＭＯＳ — ＣＭＯＳ 集成电路） 都有一层绝缘栅，以防止电压击穿。一般器件的绝缘栅氧化层的厚度大约是 ２５ｎｍ ５０ｎｍ ８０ｎｍ 三种。在集成电路高阻抗栅前面还有电阻——二极管网络进行保护，虽然如此，器件内的保护网络还不足以免除对器件的静电损害（ＥＳＤ），实验指出，在高电压放电时器件会失效，器件也可能为多次较低电压放电的累积而失效。
按损伤的严重程度静电损害有多种形式，最严重的也是最容易发生的是输入端或输出端的完全破坏以至于与电源端 ＶＤＤ ＧＮＤ 短路或开路，器件完全丧失了原有的功能。稍次一等严重的损害是出
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