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显示/光电技术中的LED外延片（外延）的成长工艺
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上传时间: 2020-11-17
详细说明：探讨ＬＥＤ外延片的成长工艺，早期在小积体电路时代，每一个６吋的外延片上制作数以千计的芯片，现在次微米线宽的大型ＶＬＳＩ，每一个８吋的外延片上也只能完成一两百个大型芯片。外延片的制造虽动輒投资数百亿，但却是所有电子工业的基础。
硅晶柱的长成，首先需要将纯度相当高的硅矿放入熔炉中，并加入预先设定好的金属物质，使产生出来的硅晶柱拥有要求的电性特质，接着需要将所有物质融化后再长成单晶的硅晶柱，以下将对所有晶柱长成制程做介绍：
长晶主要程式：
１、融化（ＭＥＬｔＤｏｗｎ）
此过程是将置放于石英坩锅内的块状复晶硅加热制高于摄氏１４２０度的融化温度之上，此阶段中最重要的参数为坩锅的位
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