文件名称:
250W级功率MOSFET的门驱动电路
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文件大小: 226kb
下载次数: 0
上传时间: 2020-11-17
详细说明：前面实验的功率MOSFET是漏极损耗15OW的器件。下面，针对大容量的功率MOSFET进行实验。
这里，使用2SK1522(PD＝250W、VDs＝50OV、IDS＝50A、Ciss＝87OOpF、Crs＝235pF、RON＝0. 11Ωmax；日立制造)，门极输入电容是2SK1379的几倍。
实验电路中为观测门极电流IG及漏极电流ID的波形，夹紧探头(图1、照片2)。负载电阻因绕线系统中的电阻器可能会产生阻抗振荡，所以并联连接8个3W、200Ω的氧化金属薄膜电阻，当用于开关的输人占空比极小不能测定时就会发热．
图1 250W功率MOSFET的开关特性测定电路
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