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150W级功率MOSFET的门驱动电路
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文件大小: 205kb
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上传时间: 2020-11-17
详细说明：作为高速的开关器件，功率MOSFET比较被注目。要充分地使用它，就必须非常清楚其门驱动电路。
功率MOSFET在苴流～低速开关用途上，与以往的场效应品体管相比易于驱动是其最大的特色．但如要在高频时实现高速开关动作，则因门输入阻抗低而非常困难，教科书卜提到过功率MOSFET的输人阻抗极高，但那是有适用条件的．
图1是用于测试功率MOSFET(2SK1379)的开关特性的电路．试验中使用的2SK1379(东芝)是60V、50A，漏极损耗150W,gm＝25～35S的功率开关器件．注意其输入电容Cis＝36OOpF、反馈电容Crs＝10O0pF 使用此FET，研究其门极上直接串联连接的电
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