文件名称:
元器件应用中的晶体管开关电路的加速电容器
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文件大小: 58kb
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上传时间: 2020-11-17
详细说明：饱和开关的问题点：OFF延时时间
如图1所示，使场效应晶体管开关动作时，加给晶体管的基极电流IB：是IB＝IC/hFE，决定的值大的电流。这是由于晶体管的集电极一发射极饱和电压VCE(set)减小，使晶体管的ON时的电力损耗降低的缘故。
这样，晶体管饱和动作时，如图2所示，基极电流IB，即使为0，晶体管也不能立刻OFF，集电极电流在积蓄(strage)时间tstg＋上升时间tr，之后才变为0(toff=tstg=tr)。
图1 基本的晶体管开关电路
图2 为使开关高速，减小toff很重要
用于OFF晶体管的时间莎。toff比用于ON的时间ton要长，而且根
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