文件名称:
高速读/写性能、低电压的F-RAM存储器（Ramtron）
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文件大小: 62kb
下载次数: 0
上传时间: 2020-11-17
详细说明：Ramtron International Corporation宣布推出新型F-RAM系列中的首款产品，具有高速读/写性能、低电压工作和可选器件的特性。Ramtron的V系列F-RAM产品的首款器件FM25V10，是1兆位 (Mb)、2.0至3.6V、具有串行外设接口 (SPI) 的非易失性RAM，采用8脚SOIC封装，其特点是快速访问、无延迟(NoDelay:trade_mark:) 写入、1E14读/写次数和低功耗。FM25V10是工业控制、计量、医疗、汽车、军事、游戏及计算机等应用领域1Mb串行闪存和串行EEPROM存储器的理想代替产品。此外，Ramtron已计划在2008年陆续推出SPI、I2C及并行接口
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