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上传时间: 2020-11-16
详细说明：在过去的20多年，出现了一些新功率半导体开关器件和功率模块，在如功率MOS-FET，绝缘栅双极晶体管IGBT，碳化硅（SiC）器件等领域都有 了不同程度的新进展（以下未特别注明的MOSFET、IGBT或IGCT等，均是指用硅晶片制成的）。
1）功率MOSFET
1979年，功率MOSFET场效应晶体管问世。由于它的输入阻抗高、开关速度快和热稳定性好，可以完全代替功率晶体管GTR和中小电流的晶闸管 ，使电力电子电路如开关电源实现高频化成为可能。其电压电流定额已经达到了500V/240 A、1500V/200 A。功率MOSFET的特点是开关损耗小， 但是通态功耗大，而且功率MOSFE
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