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RFID技术中的高频电感元件的等效电路模型
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上传时间: 2020-11-16
详细说明：当考虑电感元件寄生电容时，高频电感的等效电路模型可以采用图1来表示。图中Rc，为磁心损耗的等效电阻，C为电感绕组的寄生电容，Rac为代表绕组铜损的交流电阻，由于绕组铜线高频电流的集肤效应（在后面介绍），使Rac>Rdc，Rdc为铜线的直流电阻。Rac/Rdc与频率、铜线直径、温度等因素有关。例如，圆铜线在20℃，fs＝100 kHz时，Rac/Rdc＝1.7。
为使集肤效应的影响减小，导线的直径应不大于2△，△为渗透深度（Penetraticn depth）（cm）。
△值与温度有关，100℃时铜电阻率ρ＝2.3×1o-6Ω·cm，μ。为空气磁导率，f
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