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上传时间: 2020-11-16
详细说明：功率MOSFET管和IGBT管对其驱动电路有如下要求：
（1）栅一源驱动脉冲电压的幅值UGS要足够大，为了降低通态电阻或压降，大功率高压MOSFET管和IGBT管功率开关器件的驱动电压要有12～15 V。低压MOSFET也有用逻辑电平4.5 V的。
（2）要防止栅一源之间的击穿，栅一源之间的击穿电压约为50V，但分散性较大，容易击穿损坏。驱动电路的输出电压UGS，一般应小于20V，为此可以用反向耐压约为20V的肖特基二极管钳位来限制过电压。
（3）驱动电压“开路脉冲”的边沿要陡。“开路脉冲”是指漏极开路（不接电压），栅一漏电容CGD不起反馈作用时的测试波形，其上升沿和下降沿
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