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上传时间: 2020-11-16
详细说明：金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应，在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。当栅 G 电压VG 增大时， p 型半导体表面的多数载流子棗空穴逐渐减少、耗尽，而电子逐渐积累到反型。当表面达到反型时，电子积累层将在 n+ 源区 S 和 n+ 漏区 D 之间形成导电沟道。当 VDS ≠ 0 时，源漏电极之间有较大的电流IDS流过。使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压VT。当 VGS>VT并取不同数值时，反型层的导电能力将改变，在相同的VDS下也将产生不同的IDS, 实现栅源电压VGS对源漏电流IDS的控制。
场效应管（FET）是利用电场效应控制电流
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