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文件名称: 电源技术中的微处理器与VRM接口的仿真模型
  所属分类: 其它
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  文件大小: 79kb
  下载次数: 0
  上传时间: 2020-11-16
  提 供 者: weixin_********
 详细说明:为了研究元件、线路的寄生参数对VRM瞬态特性的影响,首先要建立-个仿真模型。图1所示为Intel公司Pentium Pro微处理器与VRM接口的仿真模型与瞬态电流的仿真波形。   VRM的输出端有滤波(Bulk)电容CB,解耦电容CD,还有封装(Pakaging)电容CP,各电容都有相应的ESR和ESL,另外,还要考虑各个电容之间的连接线寄生电阻(如0.5 mΩ)和寄生电感(如0.6 nH)。Cdie为芯片电容iB、iD、iP分别为滤波电容、解耦电容和封装电容输出各支路(即连接线)中的电流。   图1 Pentium Pro 微处理器与VRM接口的仿真模型与瞬态电流的仿真波形   微
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