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元器件应用中的去耦电容对ΔI噪声电流的抑制作用
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文件大小: 34kb
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上传时间: 2020-11-15
详细说明：在电子线路设计中，经常采用去耦技术阻止能量从一个电路传输到另一个电路。在电路中，当CMOS逻辑器件的众多信号引脚同时发生“0”和“1”翻转时，无论是否接有容性负载，都会产生很大的ΔI噪声电流，使得器件外部的电源电压发生突变，上文已经有详细地分析。常用的解决方案是采用去耦技术来保证直流工作电压的稳定性，以确保各逻辑器件正常工作。一般是选择安装去耦电容来提供一个电流源，以补偿逻辑器件工作时所产生的ΔI噪声电流，从而造成电源电压的波动。从另外一个角度来说，由于电路中电源线和地线结构表现为一个感性阻抗，因而使ΔI噪声电流表现为一个ΔI噪声电压来破坏逻辑器件的工作。去耦电容可以分为两种：本地去耦电容和整
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