文件名称:
基础电子中的新型绝缘栅双极晶体管IGBT驱动芯片MC33153
开发工具:
文件大小: 58kb
下载次数: 0
上传时间: 2020-11-15
详细说明：IGBT（Isolate Gate Bipolar Transistor）是MOSFET与双极晶体管的复合器件。它既有MOSFET易驱动的特点，又具有功率晶体管工作电压高、电流容量大等优点。其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几kHz～几十kHz频率范围内，故在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位[1~2]。
对于IGBT 电压型功率器件，目前有多种带保护和隔离的集成驱动芯片，如IR2110、EXB841、M57962 等，它们具有隔离驱动、电路参数一致性好、运行稳定的优点[2]。这些混合IC具有各自的特点，应用于不同的场合，也有一定的局限性：
1）IR21
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